Como Referenciar este Documento no Padrão INPE (Formato BibINPE)
BOSCHETTI, C.; RAPPL, P. H. O.; UETA, A. Y.; BANDEIRA, I. N. Growth of narrow-gap epilayers and p-n junctions on silicon for infrared detectors arrays. Infrared Physics, v. 34, n. 3, p. 281-287, June 1993. DOI: <10.1016/0020-0891(93)90015-Y>. (INPE-10763-PRE/6221). Disponível em: <http://doi.org/10.1016/0020-0891(93)90015-Y>. Acesso em: 05 maio 2024.
Como Fazer a Citação no Texto (por autor/ano)
... como proposto por Boschetti et al. (1993).
... pode ser encontrada na literatura (BOSCHETTI et al., 1993).